中芯国际申请基于OLED显示的半导体器件结构专利，提高最终产品的显示效果

金融界2025年3月29日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司、中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“基于OLED显示的半导体器件结构、形成方法和显示器件”的专利，公开号CN 119698187 A，申请日期为2023年9月。

专利摘要显示，本申请涉及基于OLED显示的半导体器件结构、形成方法和显示器件，该半导体器件结构包括衬底，衬底包括第一阱区和第二阱区，位于第一阱区上的第一传导结构和位于第二阱上的第二传导结构，第一传导结构和第二传导结构连接，位于第一阱区内的第一有源区，第一有源区包括源极区和漏极区，位于第二阱区内的第二有源区，第二有源区形成栅极。本申请实施例中通过以上器件结构增加了第二传导结构以及第二传导结构的传导过程，使得源极区和漏极区之间的导电沟道开启更得更困难，从而提高了亚阈值摆幅，进而增加了栅极电压的变化范围，使得补偿空间变得更大，从而实现提高最终产品的显示效果的目标。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，成立于2002年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万美元，实缴资本100000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目49次，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可226个。

本文源自：金融界

作者：情报员