北京晨晶申请硅电容器及其制造方法、制造设备专利，实现科学制造

金融界2025年3月29日消息，国家知识产权局信息显示，北京晨晶电子有限公司申请一项名为“硅电容器及其制造方法、制造设备”的专利，公开号CN 119698006 A，申请日期为2024年11月。

专利摘要显示，本发明的实施例提供了至少一种硅电容器及其制造方法、制造设备，该制造方法可以包括：通过刻蚀，在衬底上沿预定方向形成沟槽网络，以将衬底形成为一体结构，预定方向为从衬底的顶表面延伸至底表面的竖直方向，沟槽网络包括至少一个沟槽，至少一个沟槽被一体结构包围；通过沉积，在衬底上形成至少一层MIM结构，至少一层MIM结构包括单层MIM结构、双层MIM结构以及多层MIM结构。

天眼查资料显示，北京晨晶电子有限公司，成立于2000年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1700万人民币，实缴资本1700万人民币。通过天眼查大数据分析，北京晨晶电子有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目588次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息139条，此外企业还拥有行政许可72个。

本文源自：金融界

作者：情报员