上海积塔半导体申请半导体结构相关专利，满足不同厚度氧化层器件性能要求

金融界2025年4月26日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体结构的制备方法及半导体结构”的专利，公开号CN119866056A，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，本发明涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。方法包括：提供衬底，衬底内具有隔离结构；于衬底内形成第一掺杂区及第二掺杂区，第一掺杂区及第二掺杂区位于隔离结构的相对两侧，第二掺杂区包括沿平行衬底方向层叠的第一子掺杂区及第二子掺杂区；形成第一氧化层及初始氧化层，第一氧化层位于第一掺杂区的顶面，初始氧化层位于第一子掺杂区的顶面；去除部分初始氧化层，以形成第二氧化层，第二氧化层的厚度小于第一氧化层的厚度。上述半导体结构的制备方法中能够满足不同厚度氧化层的器件性能要求，并且节省多次生长氧化层的时间，不需要增加额外光罩，能够有效简化工艺流程，有利于降低成本。

天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1791次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1027条，此外企业还拥有行政许可191个。

本文源自：金融界

作者：情报员